Cypress Semiconductor CY62148ESL Технічна специфікація - Сторінка 5
Переглянути онлайн або завантажити pdf Технічна специфікація для Комп'ютерне обладнання Cypress Semiconductor CY62148ESL. Cypress Semiconductor CY62148ESL 11 сторінок. Mobl 4-mbit (512k x 8) static ram
Друкувати сторінкуData Retention Characteristics
Over the Operating Range
Parameter
Description
V
V
for Data Retention
DR
CC
I
Data Retention Current
CCDR
[7]
t
Chip Deselect to Data
CDR
Retention Time
[8]
t
Operation Recovery Time
R
Data Retention Waveform
V
CC
CE
Notes
7. Tested initially and after any design or process changes that may affect these parameters.
8. Full device operation requires linear V
Document #: 001-50045 Rev. **
Conditions
CE > V
– 0.2V,
CC
V
> V
– 0.2V or V
IN
CC
DATA RETENTION MODE
V
CC(min)
t
CDR
> 100 μs or stable at V
ramp from V
to V
CC
DR
CC(min)
V
= 1.5V
CC
< 0.2V
IN
V
> 1.5V
DR
> 100 μs.
CC(min)
CY62148ESL MoBL
[2]
Min
Typ
Max
Unit
1.5
1
7
0
t
RC
V
CC(min)
t
R
Page 5 of 10
®
V
μA
ns
ns
[+] Feedback