Cypress Semiconductor MoBL CY62157EV30 Технічна специфікація - Сторінка 7

Переглянути онлайн або завантажити pdf Технічна специфікація для Комп'ютерне обладнання Cypress Semiconductor MoBL CY62157EV30. Cypress Semiconductor MoBL CY62157EV30 15 сторінок. 8-mbit (512k x 16) static ram

Cypress Semiconductor MoBL CY62157EV30 Технічна специфікація

Switching Waveforms

Read Cycle No. 1 (Address Transition Controlled)
ADDRESS
DATA OUT
PREVIOUS DATA VALID
Read Cycle No. 2 (OE Controlled)
ADDRESS
CE
1
CE
2
BHE/BLE
OE
HIGH IMPEDANCE
DATA OUT
t
V
CC
SUPPLY
CURRENT
Notes
19. The device is continuously selected. OE, CE
20. WE is HIGH for read cycle.
21. Address valid before or similar to CE
Document #: 38-05445 Rev. *E
[19, 20]
Figure 3. Read Cycle No. 1
t
AA
t
OHA
[20, 21]
Figure 4. Read Cycle No. 2
t
RC
t
ACE
t
DBE
t
LZBE
t
DOE
t
LZOE
t
LZCE
PU
50%
= V
, BHE, BLE, or both = V
1
IL
, BHE, BLE transition LOW and CE
1
t
RC
RC
DATA VALID
, and CE
= V
.
IL
2
IH
transition HIGH.
2
CY62157EV30 MoBL
DATA VALID
t
PD
t
HZCE
t
HZBE
t
HZOE
HIGH
IMPEDANCE
50%
Page 7 of 14
®
I
CC
I
SB
[+] Feedback